Найдено 46 товаров
4 ГБ, 1 модуль DDR3 SO-DIMM, частота 1600 МГц, CL 11T, тайминги 11-11-11-28, напряжение 1.5 В
4 ГБ, 1 модуль DDR3 SO-DIMM, частота 1600 МГц, CL 11T, тайминги 11-11-11-28, напряжение 1.5 В
1 модуль, частота 3200 МГц, CL 16T, тайминги 16-18-18-39, напряжение 1.35 В
1 модуль, частота 3200 МГц, CL 16T, тайминги 16-18-18-39, напряжение 1.35 В
16 ГБ, 1 модуль DDR5 SO-DIMM, частота 4800 МГц, CL 40T, напряжение 1.1 В
16 ГБ, 1 модуль DDR5 SO-DIMM, частота 4800 МГц, CL 40T, напряжение 1.1 В
1 модуль, частота 1600 МГц, CL 11T, тайминги 11-11-11-28, напряжение 1.35 В
1 модуль, частота 1600 МГц, CL 11T, тайминги 11-11-11-28, напряжение 1.35 В
1 модуль, частота 2666 МГц, CL 16T, тайминги 16-16-16-38, напряжение 1.2 В
1 модуль, частота 2666 МГц, CL 16T, тайминги 16-16-16-38, напряжение 1.2 В
8 ГБ, 1 модуль DDR3 DIMM, частота 1333 МГц, CL 9T, тайминги 9-9-9-24, напряжение 1.5 В
8 ГБ, 1 модуль DDR3 DIMM, частота 1333 МГц, CL 9T, тайминги 9-9-9-24, напряжение 1.5 В
1 модуль, частота 1600 МГц, CL 11T, тайминги 11-11-11-28, напряжение 1.35 В
1 модуль, частота 1600 МГц, CL 11T, тайминги 11-11-11-28, напряжение 1.35 В
1 модуль, частота 2666 МГц, CL 16T, тайминги 16-16-16-36, напряжение 1.2 В
1 модуль, частота 2666 МГц, CL 16T, тайминги 16-16-16-36, напряжение 1.2 В
модуль памяти DDR4 DIMM, объем 4 ГБ, частота 2133 МГц, тайминги 15-15-15-36, напряжение питания 1.2 В
модуль памяти DDR4 DIMM, объем 4 ГБ, частота 2133 МГц, тайминги 15-15-15-36, напряжение питания 1.2 В
частота 800 МГц, CL 5T, тайминги 5-5-5-18, напряжение 1.8 В
частота 800 МГц, CL 5T, тайминги 5-5-5-18, напряжение 1.8 В
1 модуль, частота 2400 МГц, CL 16T, тайминги 16-16-16-36, напряжение 1.2 В
1 модуль, частота 2400 МГц, CL 16T, тайминги 16-16-16-36, напряжение 1.2 В
1 модуль, частота 2666 МГц, CL 16T, тайминги 16-18-18-35, напряжение 1.2 В
1 модуль, частота 2666 МГц, CL 16T, тайминги 16-18-18-35, напряжение 1.2 В
1 модуль, частота 3200 МГц, CL 16T, тайминги 16-18-18-39, напряжение 1.35 В
1 модуль, частота 3200 МГц, CL 16T, тайминги 16-18-18-39, напряжение 1.35 В
1 модуль, частота 2666 МГц, CL 16T, тайминги 16-16-16-38, напряжение 1.2 В
1 модуль, частота 2666 МГц, CL 16T, тайминги 16-16-16-38, напряжение 1.2 В
1 модуль, частота 2666 МГц, CL 16T, тайминги 16-18-18-35, напряжение 1.2 В
1 модуль, частота 2666 МГц, CL 16T, тайминги 16-18-18-35, напряжение 1.2 В
1 модуль, частота 3200 МГц, CL 15T, тайминги 15-15-15-36, напряжение 1.35 В
1 модуль, частота 3200 МГц, CL 15T, тайминги 15-15-15-36, напряжение 1.35 В
частота 1600 МГц, CL 11T, тайминги 11-11-11-28, напряжение 1.5 В
частота 1600 МГц, CL 11T, тайминги 11-11-11-28, напряжение 1.5 В
32 ГБ, 1 модуль DDR5 DIMM, частота 5200 МГц, CL 40T, напряжение 1.1 В
32 ГБ, 1 модуль DDR5 DIMM, частота 5200 МГц, CL 40T, напряжение 1.1 В
1 модуль, частота 3200 МГц, CL 16T, тайминги 16-18-18-39, напряжение 1.35 В
1 модуль, частота 3200 МГц, CL 16T, тайминги 16-18-18-39, напряжение 1.35 В
1 модуль, частота 2666 МГц, CL 16T, тайминги 16-18-18-38, напряжение 1.2 В
1 модуль, частота 2666 МГц, CL 16T, тайминги 16-18-18-38, напряжение 1.2 В
1 модуль, частота 2666 МГц, CL 16T, тайминги 16-18-18-38, напряжение 1.2 В
1 модуль, частота 2666 МГц, CL 16T, тайминги 16-18-18-38, напряжение 1.2 В