Оперативная память

2 модуля, частота 3600 МГц, CL 20T, тайминги 20-26-26-46, напряжение 1.35 В

16 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 3200 МГц, CL 16T, тайминги 16-20-20-40, напряжение 1.35 В

1 модуль, частота 1333 МГц, CL 9T, тайминги 9-9-9, напряжение 1.5 В

8 ГБ, 1 модуль DDR4 SO-DIMM, частота 2666 МГц, напряжение 1.2 В

16 ГБ, 1 модуль DDR4 SO-DIMM, частота 3200 МГц, напряжение 1.2 В

1 модуль, частота 2666 МГц, тайминги 19-19-19, напряжение 1.2 В

1 модуль, частота 3200 МГц, CL 22T, напряжение 1.2 В

8 ГБ, 1 модуль DDR4 SO-DIMM, частота 3200 МГц, CL 16T, тайминги 16-18-18-38, напряжение 1.2 В

32 ГБ, 2 модуля DDR4 DIMM по 16 ГБ, частота 3200 МГц, CL 16T, тайминги 16-18-18, напряжение 1.35 В

1 модуль, частота 3200 МГц, CL 16T, тайминги 16-18-18-39, напряжение 1.35 В

16 ГБ, 2 модуля DDR4 DIMM по 8 ГБ, частота 3600 МГц, CL 16T, тайминги 16-20-20, напряжение 1.35 В

1 модуль, частота 2666 МГц, CL 19T, тайминги 19-19-19, напряжение 1.2 В

8 ГБ, 1 модуль DDR5 SO-DIMM, частота 5200 МГц, CL 42T, тайминги 42-42-42, напряжение 1.1 В

1 модуль, частота 3200 МГц, CL 22T, тайминги 22-22-22-52, напряжение 1.35 В

8 ГБ, 1 модуль DDR5 SO-DIMM, частота 4800 МГц, CL 40T, тайминги 40-39-39, напряжение 1.1 В

16 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 3200 МГц

8 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 3200 МГц, CL 16T, тайминги 16-20-20-40, напряжение 1.35 В

1 модуль, частота 2666 МГц, напряжение 1.2 В

1 модуль, частота 3200 МГц, CL 16T, тайминги 16-18-18-39, напряжение 1.35 В

32 ГБ, 2 модуля DDR5 DIMM по 16 ГБ, частота 6000 МГц, CL 30T, тайминги 30-36-36, напряжение 1.4 В

16 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 3200 МГц, CL 16T, тайминги 16-20-20-40, напряжение 1.35 В