SSD

1 ТБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4 (NVMe), контроллер Phison PS5018-E18, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 7300/6000 МБайт/с, случайный доступ: 900000/1000000 IOps, DRAM-буфер, совместимость с PS5

M.2, SATA 3.0, микросхемы 3D TLC NAND

M.2, PCI Express 4.0 x4 (NVMe 1.3c), контроллер Samsung Elpis, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 7000/5100 MBps, случайный доступ: 1000000/1000000 IOps

2 ТБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4, контроллер Silicon Motion SM2269XT, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 5100/4600 МБайт/с

2 ТБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4 (NVMe), последовательный доступ: 7400/6400 МБайт/с, SLC-кэш, совместимость с PS5

960 ГБ, 2.5", SATA 3.0, последовательный доступ: 540/510 МБайт/с

960 ГБ, 2.5", SATA 3.0, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 570/560 MBps

512 ГБ, M.2, SATA 3.0 (NGFF), микросхемы 3D MLC NAND, последовательный доступ: 570/450 MBps

480 ГБ, 2.5", SATA 3.0, контроллер Phison S11, последовательный доступ: 500/450 МБайт/с, случайный доступ: 55000/80000 IOps

2 ТБ, 2.5", SATA 3.0, последовательный доступ: 550/500 МБайт/с, случайный доступ: 50000/50000 IOps

1.92 ТБ, 2.5", SAS 3

2.5", SATA 6Gbps, контроллер Silicon Motion SM2258, микросхемы NAND TLC, последовательный доступ: 560/520 MBps

480 ГБ, 2.5", SATA 3.0

M.2, PCI Express 3.0 x4 (NVMe), контроллер Silicon Motion SM2263XT, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 2100/1500 MBps

1.92 ТБ, 2.5", PCI Express 4.0 x4 (NVMe, U.2), микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 5300/1900 МБайт/с, случайный доступ: 700000/114000 IOps

2 ТБ, M.2 2280, PCI Express 5.0 x2 (NVMe 2.0), контроллер Samsung Piccolo, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 5000/4200 МБайт/с, случайный доступ: 700000/800000 IOps

512 ГБ, M.2, PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.4), контроллер Silicon Motion SMI2263XT, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 5000/2700 MBps, случайный доступ: 380000/530000 IOps, совместимость с PS5

256 ГБ, M.2, PCI Express 3.0 x4, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 3230/1240 MBps, случайный доступ: 195000/210000 IOps

256 ГБ, M.2 2280, PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.3), микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 2100/1300 МБайт/с, случайный доступ: 165000/265000 IOps

1 ТБ, M.2, PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.4), контроллер Phison PS5021-E21-48, микросхемы 3D QLC NAND, последовательный доступ: 5000/3600 MBps

1 ТБ, M.2 2280, PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.3), контроллер Samsung Phoenix, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 3500/3300 МБайт/с, случайный доступ: 600000/550000 IOps, DRAM-буфер