Найдено 456 товаров
960 ГБ, 2.5", SATA 3.0, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 560/530 МБайт/с, случайный доступ: 94000/65000 IOps
960 ГБ, 2.5", SATA 3.0, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 560/530 МБайт/с, случайный доступ: 94000/65000 IOps
750 ГБ, 2.5", PCI Express 3.0 x4 (NVMe), микросхемы 3D XPoint, последовательный доступ: 2500/2200 МБайт/с, случайный доступ: 550000/550000 IOps
750 ГБ, 2.5", PCI Express 3.0 x4 (NVMe), микросхемы 3D XPoint, последовательный доступ: 2500/2200 МБайт/с, случайный доступ: 550000/550000 IOps
500 ГБ, M.2, PCI Express 4.0 x4 (NVMe 1.4), последовательный доступ: 4800/2700 MBps, случайный доступ: 200000/440000 IOps
500 ГБ, M.2, PCI Express 4.0 x4 (NVMe 1.4), последовательный доступ: 4800/2700 MBps, случайный доступ: 200000/440000 IOps
1 ТБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4 (NVMe), последовательный доступ: 5000/4800 МБайт/с, SLC-кэш
1 ТБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4 (NVMe), последовательный доступ: 5000/4800 МБайт/с, SLC-кэш
1 ТБ, M.2, PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.3), микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 2400/1900 MBps, случайный доступ: 76400/96200 IOps
1 ТБ, M.2, PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.3), микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 2400/1900 MBps, случайный доступ: 76400/96200 IOps
2 ТБ, 2.5", SATA 3.0, контроллер Samsung MKX, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 560/530 МБайт/с, случайный доступ: 98000/88000 IOps, DRAM-буфер
2 ТБ, 2.5", SATA 3.0, контроллер Samsung MKX, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 560/530 МБайт/с, случайный доступ: 98000/88000 IOps, DRAM-буфер
2.5", SATA 3.0, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 550/470 MBps, случайный доступ: 97000/32000 IOps
2.5", SATA 3.0, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 550/470 MBps, случайный доступ: 97000/32000 IOps
M.2, PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.3), микросхемы 3D TLC NAND
M.2, PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.3), микросхемы 3D TLC NAND
2 ТБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4 (NVMe), контроллер Phison PS5021-E21-48, микросхемы 3D QLC NAND, последовательный доступ: 5000/4200 МБайт/с
2 ТБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4 (NVMe), контроллер Phison PS5021-E21-48, микросхемы 3D QLC NAND, последовательный доступ: 5000/4200 МБайт/с
2 ТБ, 2.5", SATA 3.0, контроллер Silicon Motion SM2258H, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 550/510 МБайт/с
2 ТБ, 2.5", SATA 3.0, контроллер Silicon Motion SM2258H, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 550/510 МБайт/с
1 ТБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4, контроллер Samsung Elpis, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 7000/5000 МБайт/с, случайный доступ: 1000000/1000000 IOps, DRAM-буфер, совместимость с PS5
1 ТБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4, контроллер Samsung Elpis, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 7000/5000 МБайт/с, случайный доступ: 1000000/1000000 IOps, DRAM-буфер, совместимость с PS5
500 ГБ, M.2, PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.4)
500 ГБ, M.2, PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.4)
800 ГБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4 (NVMe), микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 5000/1400 МБайт/с, случайный доступ: 520000/156000 IOps
800 ГБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4 (NVMe), микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 5000/1400 МБайт/с, случайный доступ: 520000/156000 IOps
2.5", SATA 3.0, микросхемы TLC, последовательный доступ: 500/375 MBps
2.5", SATA 3.0, микросхемы TLC, последовательный доступ: 500/375 MBps
M.2, PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.3), контроллер Silicon Motion SM2262EN, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 3500/2800 MBps, случайный доступ: 390000/380000 IOps
M.2, PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.3), контроллер Silicon Motion SM2262EN, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 3500/2800 MBps, случайный доступ: 390000/380000 IOps
2 ТБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4 (NVMe), контроллер Phison PS5018-E18, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 7300/7000 МБайт/с, случайный доступ: 1000000/1000000 IOps, DRAM-буфер, совместимость с PS5
2 ТБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4 (NVMe), контроллер Phison PS5018-E18, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 7300/7000 МБайт/с, случайный доступ: 1000000/1000000 IOps, DRAM-буфер, совместимость с PS5
M.2, PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.3), микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 1700/1200 MBps, случайный доступ: 200000/290000 IOps
M.2, PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.3), микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 1700/1200 MBps, случайный доступ: 200000/290000 IOps
4 ТБ, 2.5", SATA 3.0, контроллер Samsung MKX, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 560/530 МБайт/с, случайный доступ: 98000/88000 IOps, DRAM-буфер
4 ТБ, 2.5", SATA 3.0, контроллер Samsung MKX, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 560/530 МБайт/с, случайный доступ: 98000/88000 IOps, DRAM-буфер
2.5", SATA 3.0, контроллер Silicon Motion SM2258H, микросхемы 3D TLC NAND
2.5", SATA 3.0, контроллер Silicon Motion SM2258H, микросхемы 3D TLC NAND
2.5", SATA 3.0, контроллер Silicon Motion SM2259, последовательный доступ: 520/430 MBps, случайный доступ: 50000/50000 IOps
2.5", SATA 3.0, контроллер Silicon Motion SM2259, последовательный доступ: 520/430 MBps, случайный доступ: 50000/50000 IOps
2.5", SATA 3.0, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 500/380 MBps, случайный доступ: 50000/60000 IOps
2.5", SATA 3.0, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 500/380 MBps, случайный доступ: 50000/60000 IOps